【存储器】fram概述和特点-yb体育app官网

fram（ferromagnetic random access memory），铁电随机存取存储器。fram由麻省理工学院首次提出，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。fram存储器的优点是可在失去电力的情况下，资料毫不受损，且写入速度极快，重复写入的次数高，几乎是无限次数，可大量取代eeprom应用；其缺点为fram存储器的价格仍是大幅高于eeprom约2~3倍之多。

fram存储器与电阻式随机存取存储器(rram)、磁电随机存取存储器(mram)等并列为新式存储器的一种，目前fram存储器供应商包括富士通半导体(fujitsu semiconductor)、cypress、德州仪器(ti)等。

此市场领域属于高端市场，应用领域特殊如智能电表、交通储值卡、医疗健康系统如监照仪、内视镜、呼吸辅助、血氧测定、携带式胰岛素注射器等，以及车用市场如胎压侦测器等，或是kiosk、博奕机等，由于fram低功耗特性，未来适合在物联网市场发挥。

fram存储器特点
● 采用2048×8位存储结构；
● 读写次数高达1百亿次；
● 在温度为55℃时，10年数据保存能力；
● 无延时写入数据；
● 先进的高可靠性铁电存储方式；
● 连接方式为高速串行接口（spi）总线方式，且具有spi方式0和3两种方式；
● 总线频率高达5mhz；
● 硬件上可直接取代e；
● 具有先进的写保护设计，包括硬件保护和软件保护双重保护功能；
● 低功耗，待机电流仅为10μa；
● 采用单电源 5v供电；
● 工业温度范围：-40℃至 85℃；
● 采用8脚sop或dip封装形式；