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混合立方体记忆体(hybrid memory cube;hmc)是属于同构型记忆体3d ic堆栈技术,由美系记忆体大厂美光(micron)主导研发,后来三星电子(samsung electronics)、ibm等大厂也先后加入。目前美光已推出hmc产品,由于成本较高,因此初期是导入绘图卡应用、超级计算机、服务器、网络设备等高单价的市场应用为主。
半导体产业热烈讨论摩尔定律到达极限,但其实dram制程技术早已脱离摩尔定律走势,物理极限让dram技术难以微缩至10纳米制程,讲求推迭技术的3d ic技术开始被导入,进而延续过去传统dram生产制造的低成本优势。
美光已推出2gb版本hmc产品的工程样本,有别于传统dram的平面配置,以立体堆栈设计,并能利用直通硅晶穿孔(through-silicon via;tsu)技术将立体多层dram和逻辑组件封装在一起,带宽流量大,且功耗大幅减少,是能够同时兼顾带宽、密度、低功耗等需求的新一代记忆体设计,美光也规划hmc容量提升至4gb版本,其工程样本可于2014年推出。
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