什么是相变内存?-yb体育app官网

1.什么是相变内存？

相变内存“phase-change memory”，简称“pcm”，是一种非易失性的内存产品，是通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。相变内存结合了dram内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。相变内存的功耗只有现有闪存的一半，但是读写速度可以达到闪存的1000倍。

2.相变内存的原理？

相变内存实现的原理，是“通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。”简单的来说，就是一种非易失性dram，这是一个同时拥有内存条的存储传输效率，和flash存储的非易失性的比较完美的方案。当前使用的大多数闪存都有一个存放电荷的部分——“浮栅”，其设计特点是不会泄漏。因此，闪存可保持其存储的数据并且只在读、写或擦掉信息时需要供电非易失性数据保留也是一般计算机应用的一大优势，但是在闪存上写入数据要比在dram或sram上写入数据慢上千倍。而且，闪存存储单元在被写过大约10万次以后就会降质并且变得不再可靠。这对于许多消费应用来说并不是问题，但对那些必须频繁重写的应用，如计算机主存储器或网络的缓冲存储器或存储系统来说，这将会带来问题。相变存储器的核心是一小片半导体合金膜，它可以在有序的、具有更低电阻的结晶相位与无序的、具有更高电阻的非结晶相位之间快速转换。因为无需电能来保持这种材料的任意一种相位，所以，相变存储器是非易失性的。

3. 相变内存的优势

相变内存的优点是，可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。同普通的flash芯片相比，pcm内存的数据写入时间仅为1/500s，写入时的耗电量也不足flash芯片的1/2。

相变内存相对来说是一种高性能组件，相变内存的能耗更低，能够在较小的空间中存储大量的数据。数据位也不容易被改变或损坏。相变内存是非易失性的，而且可以节约能源。当没有信息读取或者写入的时候，就没有能源消耗。相变内存的写入持久性要远远高于nand。nand闪存的生命周期大约在10000到100000个写入周期，相变内存的生命周期大约是它的三到五倍。

总之，相变内存至少在写入速度、读写寿命和功耗上，与闪存相比具有明显的优势，而与传统内存相比，又具有非易失性的优点。