【存储器】samsung闪存芯片参数详解 -yb体育app官网

64m闪存：

k9f6408q0c 8mx8构成，超低电压型，48脚tbga封装，0.15微米制成。

k9f6408u0b 8mx8构成，功耗2.7v~3.6v，44脚tsop封装，0.22微米制成。（已淘汰）

k9f6408u0c 8mx8构成，功耗2.7v~3.6v，44脚tsop封装，0.15微米制成。

128m闪存：

k9f2808q0b 16mx8构成， 超低电压型，63脚tbga封装，0.15微米制成。

k9f2808u0b 16mx8构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.15微米制成。

k9f2808u0c 32mx4构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.12微米制成。

k9f2816u0c 16mx8构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.12微米制成。

256m闪存：

k9f5608u0a 32mx8构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装， 0.18微米制成。 （已淘汰）

k9f5608u0b 32mx8构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.15微米制成。

k9f5608u0c 32mx8构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.12微米制成。

k9f5616u0b 16mx16构成， 2.7v~3.6v， 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.15微米制成。