来源:
很多人谈论到ddr3内存时,总会把gddr3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。
一、gddr2显存的换代产品gddr3
gddr3是gddr2显存的换代产品,主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然gddr3和gddr2相比还有其他一些不同的地方,gddr3采用的是单端设计,并没有分开数据输入和写出通道。此外,gddr3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术(pseudo-open drain)。和gddr2一样,gddr3采用了1.8v电压标准。
gddr3显存具备目前业界最高的显存工作频率,而耗能却很低。同时,配备gddr 3需要的配件更少,约束条件也更低。综合这些优点,nvidia的合作商们在启用gddr3后,将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。
二、ddr2内存的换代产品ddr3
ddr3相比起ddr2有更高的工作电压,从ddr2的1.8v降落到1.5v,性能更好更为省电;ddr2的4bit预读升级为8bit预读。ddr3目前最高能够1600mhz的速度,由于目前最为快速的ddr2内存速度已经提升到800mhz/1066mhz的速度,因而首批ddr3内存模组将会从1333mhz的起跳。在computex大展我们看到多个内存厂商展出1333mhz的ddr3模组。相对于ddr2内存的4bit预取机制,ddr3内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计,这样dram内核的频率只有接口频率的1/8,ddr3-800的核心工作频率只有100mhz,当dram内核工作频率为200mhz时,接口频率已经达到了1600mhz。而当ddr3内存技术成熟时,将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品,初步估计届时将会出现ddr3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进,ddr3内存还采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。此外,ddr3内存将采用100nm以下的生产工艺,并将工作电压从1.8v降至1.5v,增加异步重置(reset)与zq校准功能。
在性能方面,ddr3内存将拥有比ddr2内存好很多的带宽功耗比(bandwidth per watt),对比现有ddr2-800产品,ddr3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72x、0.83x及0.95x,不单内存带宽大幅提升,功耗表现也好了很多。