决定nand型闪存的因素有哪些？-yb体育app官网

我们主要从块容量、页数量、频率、页容量、i/o位宽、制造工艺这几方面进行探讨。

1．块容量

擦除操作的基本单位是块，由于每个块的擦除时间几乎相同，因而块的容量将直接决定擦除性能。比如4gb芯片的块容量为128kb，1gb芯片块容量是16kb。所以，在相同时间之内，4gb芯片的擦速度是1gb芯8倍

2．页数量

一般来说nand型闪存，容量越大页越多、页越大，寻址时间越长。

3．频率

nand型闪存的工作频率在20～33mhz，不用说频率越高性能越好。

4．页容量

页容量的提高易于提高容量，更可以提高传输性能。因为每一页的容量决定了一次可以传输的数据量。

5．i/o位宽

nand型闪存的数据线一般为8条，但是现在的大容量nand型闪存也开始出现16条数据线的产品。我们可以这样理解：相同容量的芯片，当数据线增加到16条后，读性能提高70%，写性能也提高16%左右。

6．制造工艺

闪存的制造工艺是影响晶体管的密度原因之一，并且对一些操作时间有较大的影响。目前90nm的制造工艺比较常见，存储密度高，同时读、写的时间也要长些。所以工艺制程的提高有利于芯片容量的提高，但不一定有利于缩短读、写时间。随着技术的发展相信65nm工艺制程会让nand型闪存在性能与容量上得到更大的改观。