来源:全球半导体观察 原作者:刘静
在半导体存储领域,参与hbm市场竞争的存储厂商主要为sk海力士、三星和美光,三者的竞争已经延续到hbm3e。
而近日,行业标准制定组织固态技术协会jedec宣布hbm4即将完成的消息引发了业界关注,这似乎也预示着hbm领域新的战场已经开启...
据悉,jedec于7月10日表示,备受期待的高带宽存储器 (hbm) dram标准的下一个版本:hbm4标准即将完成定稿。
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hbm4是目前发布的hbm3标准的进化版,旨在进一步提高数据处理速率,同时保持更高的带宽、更低功耗以及增加裸晶/堆栈性能等基本特性。jedec表示,在生成式人工智能(ai)、高性能计算、高端显卡和服务器等领域,这些改进对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要。
与hbm3相比,hbm4计划将每个堆栈的通道数增加一倍,物理尺寸也更大。为了支持设备兼容性,该标准确保单个控制器可以在需要时同时与hbm3和hbm4配合使用,不同的配置将需要不同的中介层来适应不同的占用空间。
jedec进一步指出,委员会已就高达6.4gbps的速度等级达成初步协议,目前正在讨论更高的频率。
此前,全球机场研究机构trendforce集邦咨询分享的路线图预计,首批hbm4样品的每个堆栈容量将高达36 gb,而完整规格预计将在2024-2025年左右由jedec发布。首批客户样品和可用性预计将于2026年推出,因此距离我们看到新的高带宽内存人工智能yb体育app官方下载的解决方案的实际应用还有很长的时间。
经过多轮技术迭代,目前hbm发展已来到hbm3e赛道,并有望在2025年进入市场主流。而与此同时,以sk海力士、三星和美光等代表的厂商也正在向下一轮hbm技术发起冲击。
而作为ai芯片市场的主导者,英伟达此前透露了hbm4的应用计划。6月2日,英伟达ceo黄仁勋在揭露最新产品规划时表示,其下一代平台名称为「rubin」,预期将在2026年进入量产,并搭载hbm4。这也进一步刺激各大厂商入局速度。
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01
sk海力士/台积电/英伟达三方联盟
今年4月,sk海力士宣布与台积电签署了一份谅解备忘录,双方将合作生产下一代hbm,并通过先进的封装技术提高逻辑和hbm的集成度。sk海力士计划通过这一举措着手开发第六代hbm产品hbm4。
sk海力士在新闻稿中表示,将“以构建ic设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式,突破面向ai应用的存储器性能极限”。
而据韩国媒体businesskorea最新报道,sk海力士、英伟达和台积电将组建“三角联盟”,为迎接ai时代共同推进第六代hbm4发展。
报道称,三强合作计划是在今年上半年敲定,其中,sk海力士将采用台积电的逻辑制程,生产hbm的基础接口芯片。
02
三星电子目标明确
此前,三星电子公司一位高管曾在其博客中表示,公司目标是在2025年推出第六代hbm(hbm4)。
今年6月,《韩国经济日报》援引三星电子公司和消息人士的话称,三星电子将在年内推出高带宽内存(hbm)的3d封装服务,计划明年推出的第六代hbm芯片hbm4将采用这种封装方式。
此外,据韩联社报道,三星电子近期新设了一个hbm芯片研发团队,专注于hbm3、hbm3e和下一代hbm4技术的研发,研发组组长由三星电子副社长、高性能dram设计专家sohn young-soo担任。
而在7月9日举行的“三星晶圆代工论坛2024”上,三星电子存储部门新事业企划组组长choi jang-seok透露,公司正在开发单堆栈达48gb的大容量hbm4内存,预计明年投产。choi jang-seok还表示,公司正在与amd、苹果等主要客户进行定制合作,预计定制hbm将在hbm4量产时实现商业化。
03
美光奋起直追
至于美光,作为hbm领域的后起之秀,目前正在奋起直追。
美光的hbm技术已经发展至hbm3e。根据2023年底公布的技术路线图显示,其hbm4的“生命周期”大致落在2025年—2027年,而到2028年则正式步入hbm4e。
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另外,据韩国媒体6月底报道称,韩国后端设备制造商asmpt已向美光提供了用于高带宽内存 (hbm) 生产的演示热压 (tc) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于hbm4生产。
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