存储大厂nand技术迎突破-yb体育app官网

ai人工智能正推动存储器产业强劲发展，ai应用带来了海量数据增长，存储容量与性能需求大幅提升，nand flash技术重要性不断凸显。因此，存储大厂积极布局以hbm为代表的dram产业的同时，也并未忽视nand flash的发展。最新消息显示，三星、铠侠两家大厂nand技术迎来新进展。

三星第九代v-nand闪存材料技术突破

三星于今年4月宣布其第九代v-nand 1tb tlc产品开始量产，今年下半年三星将开始量产四层单元（qlc）第九代v-nand。与第八代v-nand相比，第九代v-nand 1tb tlc产品提高约50%的位密度(bit density)，功耗也降低了10%。

近日韩媒the elec报道，三星正在其第九代v-nand“金属布线”（metal wiring）环节中首次使用钼（mo）材料。

图片来源：三星

“金属布线”是半导体制造过程的一大工艺，使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体产品。目前， nand工艺中所使用的材料是六氟化钨（wf6），随着钨材料在降低层高方面不断触及物理极限，三星开始锁定钼作为替代材料。据悉，三星的这一转变有望进一步缩减层高并降低nand响应时间，性能将进一步提升。

不过，引入钼材料要求生产设备能够耐高温处理，将固态钼原材料加热至600 ℃以转化为气态，为此三星已从lam research公司引进了五台mo沉积机，还计划明年再引进20台设备。此外，三星正与多家相关供应商紧密合作，包括entegris和air liquide公司。

除了三星之外，报道指出美光等存储大厂也在探索钼应用于nand生产的可行性。

铠侠推出2tb bics8 flash qlc闪存

7月3日，铠侠宣布已经开始使用第八代bics flash 3d闪存技术，向客户提供2tb bics8 flash qlc闪存样品，该款产品在业内拥有最大容量，有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长。

据悉，铠侠通过专有工艺和创新架构，在存储芯片的垂直和横向扩展上均取得了突破，并采用了cba（cmos直接键合到阵列）技术，以制造更高密度的设备，并提供3.6gbps接口速度。

图片来源：铠侠

铠侠表示，与公司当前第五代qlc设备（铠侠产品中容量最高）相比，2tb bics8 flash qlc闪存位密度约提高了2.3倍，写入能效比提高了约70%，全新的qlc产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，从而为业界提供4tb容量，同时，它还具有更小的封装尺寸（11.5 x 13.5毫米）和1.5毫米的封装高度。

除了2tb qlc之外，铠侠还在其产品组合中增加了1tb qlc存储设备。与容量优化的2tb qlc相比，性能优化的1tb qlc的顺序写入速度大约提高了30%，读取延迟大约改善了15%。1tb qlc将被部署于高性能应用中，包括客户端ssd和移动设备。

qlc ssd，人工智能领域大有可为！

与多层单元（mlc）和三层单元（tlc）设备相比，qlc nand每个单元可以存储更多数据，显著提升存储性能。因此，无论是三星还是铠侠，针对qlc nand皆有布局。

此前qlc nand主要应用于pc oem和消费级ssd领域，随着ai大模型不断普及，数据中心存储需求不断激增，qlc nand尤其是qlc ssd有望在ai、大数据领域大显身手。

受益于ai需求推升，全球市场研究机构trendforce集邦咨询预估，2024全年qlc enterprise ssd出货位元上看30eb（eb；exabyte），较2023年成长四倍。

图片来源：拍信网

trendforce集邦咨询认为，qlc ssd在ai应用搭载提升有两大原因，一是该产品的读取速度，二是tco（总体拥有成本；total cost of ownership）优势。由于ai推理服务器主要以读取为主，资料写入次数不若ai训练型服务器（ai training server）频繁，相较hdd，qlc enterprise ssd读取速度更胜，且容量已发展至64tb。

此外，实际上目前通用型服务器采用的hdd产品主流容量在20~24tb，而qlc enterprise ssd（64tb）单个产品运转除了较hdd节省电力外，在存储容量布局上，qlc所需使用空间减少，可大幅降低tco成本。ai training已然成为重度电力消耗应用，因此节能将成为存储产品的优先考量，故大容量qlc enterprise ssd产品更是大宗ai客户寻求的yb体育app官方下载的解决方案。

封面图片来源：拍信网