又一存储大厂dram考虑采用muf技术-yb体育app官网

韩国媒体 theelec报道，三星正在考虑在其下一代 dram 中应用模压填充（muf）技术。三星最近测试了一种用于 3d 堆栈 (3ds) 存储器的muf 技术，与 tc ncf 相较其传输量有所提升。

据悉，muf 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (tsv) 技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，muf 不适用于高频宽存储器 (hbm)，但非常适合 3ds rdimm，而目前 3ds rdimm 使用硅通孔 (tsv) 技术制造，主要应用于服务器上。

在此之前，三星已经在其现有的双列直插式存储器模块（rdimm）中使用了热压非导电膜（tc ncf）技术。而 muf 是另一家存储大厂用于制造高频宽存储器（hbm）的技术，其所用的技术为 mass re-flow molded underfill，简称 mr-muf。事实上，muf 是一种环氧树脂模塑化合物，自从该大厂成功将其应用于 hbm 生产后，便在半导体产业中受到关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。

消息人士称三星计划与三星 sdi 合作开发自己的 muf 化合物，目前已经订购了 muf 应用所需的模压设备。而因为三星是世界最大的存储器龙头企业，所以若三星也导入 muf，那么 muf 可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化。

封面图片来源：拍信网