来源:全球半导体观察整理
佰维存储近日在接受调研时表示,公司拟定增募资建设的晶圆级先进封测项目可以构建hbm实现的封装技术基础。
公司掌握16层叠die、30~40μm超薄die、多芯片异构集成等先进封装工艺,为nand flash芯片、dram芯片和sip封装芯片的大规模量产提供支持,使得存储芯片在体积、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。
封面图片来源:拍信网
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