来源:全球半导体观察 原作者:flora
进入2023年第四季度,随着原厂减产效应逐渐奏效,加上部分应用市场需求持续强劲,存储器市场dram与nand flash价格迎来全面上涨,涨势有望延续至明年第一季度。
全球市场研究机构trendforce集邦咨询调查显示,第四季mobile dram合约价季涨幅预估将扩大至13~18%,nand flash方面,emmc、ufs第四季合约价涨幅约10~15%。展望2024年第一季,预估整体存储器的涨势将延续,其中mobile dram及nand flash(emmc、ufs)合约价仍会续涨,涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略,以及终端是否有实质买气支撑而定。
经历过“寒冬”的存储器市场正在逐渐释放暖意,除了涨价之外,业界预估以下因素也将持续推动存储器市场转好。
据外媒 wccftech 报道,2024 年流行趋势之一是终端 ai,现内建于多款芯片组,如 snapdragon 8 gen 3、天玑 9300 和 exynos 2400。有ai功能的智能手机需要更多内存,内建ai功能的android手机内存容量至少将达到20gb ram。
8gb ram 虽仍是 android 智能手机标准,但市场上已经出现比多数笔电或 pc更高内存的手机,虽还没成为标配。业界指出,为了让将来设备 ai 影像功能顺利执行,android 手机需要至少 12gb ram,加上 ai 应用及其他功能,手机需要超过20gb ram才能流畅运作。
考虑到多家 android 手机商正持续投资 ai,2024 年ai将成为设备重点。因此,业界认为ram 要求更高后,硬件规格对现代ai设备来说比以往都更重要。
业界认为,随着ddr5价格向下,原厂良率不断提升,未来ddr5市场需求将明显成长。
ddr5作为高附加值dram芯片,正持续受到大厂青睐。今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的ddr5内存,速率高达 7200 mt/s,现已面向数据中心及 pc 市场的所有客户出货。近期,美光又带来了采用32gb芯片的128gb ddr5 rdimm 内存,该系列内存具有高达 8000 mt/s 的速度,适用于服务器和工作站平台。该款芯片同样采用美光的1β 技术,能源效率提高达24%,延迟降低高达16%。此外,美光计划2024年开始推出速度为4800 mt/s、5600 mt/s 和 6400 mt/s 型号,未来将推出 8000 mt/s 的型号。
三星方面,据业内人士透露,三星内部正在考虑扩大ddr5生产线。鉴于ddr5的高价值及其在pc和服务器市场的采用,今年基本上被视为“ddr5的大规模采用年”。
与ddr5一样,hbm作为高附加值dram芯片,今年也受到市场极大关注。ai大势之下,hbm市场需求高涨,而原厂产能供不应求,hbm扩产潮开启。
集邦咨询调查显示,展望2024年,基于各原厂积极扩产的策略,hbm供需比(sufficiency ratio)有望获改善,预估将从2023年的-2.4%,转为0.6%。
集邦咨询认为,随着ai热潮带动ai芯片需求,对hbm需求量在2023年与2024年也随之提升,促使原厂也纷纷加大hbm产能,展望2024年,hbm供给情况可望大幅改善。而以规格而言,伴随ai芯片需要更高的效能,hbm主流也将在2024年移转至hbm3与hbm3e。整体而言,在需求位元提高以及hbm3与hbm3e平均销售价格高于前代产品的情形下,2024年hbm营收可望有显著的成长。
mts2024限时回放开启:
2023年11月8日 (周三),集邦咨询在深圳成功举办2024存储产业趋势研讨会 (memory trend seminar 2024)。集邦咨询资深分析师团队以及来自美光/solidigm/西数/慧荣科技/浪潮信息/时创意/大普微/欧康诺/皇虎测试/澜起科技等公司的重磅嘉宾同台演讲,探讨存储产业现状与未来。
目前,mts限时回放已经开启,欢迎扫码观看。
封面图片来源:拍信网