美光公布存储最新路线图-yb体育app官网
来源：科技新报
存储器大厂美光近期公布最新路线图，包括ddr5、gddr7和hbm4e存储器技术，其中gddr7正好赶上明年底下一代英伟达gpu芯片。
美光最新路线图延长至2028年，比7月发布时延长两年，内容也调整过，增加几款新产品。美光目前第二代hbm3运行速度为1.2tb/s，为8层堆叠，预计2026年推出12和16层堆叠的hbm4，带宽超过1.5tb/s；到2027~2028年，将发布12层和16层堆叠的hbm4e，带宽可达2tb/s以上。
至于gddr7上市时间有些改变，从2024上半年延后到年底，与目前最快的gddr6x模组（最高容量为16gb，带宽为24gb/s）相比，容量和带宽都提高。首批gddr7容量提高至24gb，带宽为32gb/s；到2026年下半年，会推出更快的gddr7，带宽和容量将增至36gb/s。
英伟达曾表示blackwell将于2025年面世，而英伟达下一代geforce rtx50系列有望使用美光gddr7存储器。
ddr5存储器部分，美光为消费者和数据中心设定不同的产品线，计画基础是新32gb单体设计。这种高容量模组将应用于128gb ddr5-8000内存条，一直延伸至2026年供桌机用户使用。
同时美光还开发用于服务器的mcrdimm产品，速度为8000mt/s。这种设计的巅峰将是2025年底推出的256gb内存条，运行速度为12800mb/s。
在移动领域部分，美光将在2024年底采用dellcamm标准，焦点似乎在提高容量而非带宽，公司也表示将在2026年前使用8533mb/s速率的内存条。第一代设计每条将提供16gb至128gb容量，到2026下半年，每个模组容量将增至192gb或更高。
封面图片来源：拍信网
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