谁是下一个晶圆代工“最强王者”？-yb体育app官网

近日，台积电在年度技术论坛北美场发布埃米级a16先进制程，2026年量产，不仅较竞争对手英特尔intel 14a，以及三星sf14都是2027年量产早，且台积电强调a16还不需用到high-na euv，成本更具竞争力，市场乐观看待台积电进入埃米时代第一战有丰硕战果。

台积电a16量产时间与成本或将领先竞争对手

根据台积电表示，a16先进制程将结合超级电轨（super powerrail）与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到晶圆背面，晶圆正面释出更多讯号网络空间，提升逻辑密度和效能，适用复杂讯号布线及密集供电网络的高效能运算（hpc）产品。

相较台积电n2p制程，a16相同vdd（工作电压）下，速度增加8%~10%，相同速度功耗降低15%~20%，芯片密度提升高达1.1倍，支援数据中心产品。

另外，因为ai芯片公司迫切希望最佳化设计，以发挥台积电制程全部性能，因此，台积电也认为不需用到阿斯麦（asml）最新高数值孔径（high-na）euv来生产a16制程芯片。此外，台积电还展示2026年启用的超级电轨供电，从芯片背面供电，可以帮助ai芯片加速运行。

英特尔intel 14a延续“四年五节点”布局

今年2月，英特尔公布“四年五节点”后intel 14a制程，导入high-na euv生产后，intel 14a会比intel 18a能耗效率提升15%，晶体管密度会提升20%。强化版intel 14a-e也会在intel 14a基础上提升5%能耗。照计划，intel 14a最快2026年量产，intel 14a-e要到2027年。

而近日，英特尔也宣布完成业界首台商用高数值孔径极紫外光刻机设备（high na euv）组装。由光刻技术大厂阿斯麦twinscan exe:5000 high-na euv光刻设备，开始多项校准，2027年启用、生产intel 14a制程。英特尔强调，当high-na euv光刻设备与自家晶圆代工服务的其他领先制程技术相结合时，打印尺寸比现有euv机台缩小1.7倍，因2d尺寸缩小，密度提高2.9倍，协助英特尔推展制程蓝图。

三星sf1.4增加纳米片，改善性能与功耗

相对于台积电与英特尔，媒体报导，三星两年前在samsung foundry forum 2022就层公布先进制程蓝图，埃米级sf1.4（1.4纳米）2027年量产。三星高层透露，正在开发sf1.4纳米片量从三个增至四个，有望改善性能和功耗。

三星2022年6月宣布量产sf3e（3纳米gaa）后，导入全新gaa（gate-all-around）架构，今年公布sf3（3纳米gap）第二代3纳米制程，使用第二代多桥通道场效应晶体管（mbcfet），原有sf3e基础上性能最佳化，还有性能增强型sf3p（3gap ），适合制造高性能芯片。到2025年，三星会大规模量产sf2（2纳米）制程，2027年量产sf1.4（1.4纳米）制程。

三星希望增加每个晶体管纳米片数量，强化驱动电流、提高性能，更多纳米片允许更高电流通过晶体管，增强开关能力和操作速度。更多纳米片也更能控制电流，有助减少漏电，降低功耗。改善电流控制，代表晶体管产生更少热量。

封面图片来源：拍信网