思特威成功开发国产自研高端bsi工艺平台-yb体育app官网

据思特威官方公众号消息，近日，思特威与合肥晶合集成合作推出了国产自研高端bsi工艺平台。

在cmos图像传感器小像素尺寸与高分辨率的市场趋势下，bsi（back sideillumination）即背照式入射受到市场的重视和需求。相较于前照式入射方案，bsi将光线入射方向改至光电二极管的背面，可大幅提升 cmos 图像传感器的量子效率，降低电路光学串扰，同时解决了像素尺寸微小化和扩大光学视角响应方面的重要难题，进而实现极佳的暗光成像品质。

据悉，早在2020年，思特威就已与晶合集成携手成功推出了dsi工艺平台并实现量产。为了继续提升产品性能，2021年思特威开始进行本土bsi背照式先进工艺平台的研发，在多项关键技术工艺上取得突破性成果，创新推出了国产高端bsi工艺平台。此次思特威携手晶合集成推出的国产自研高端bsi平台通过晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术等三大关键工艺，可为当下智视应用提供一流的暗光成像性能。

该bsi高端工艺平台搭载晶圆键合技术，采用直接键合方式降低键合过程中晶圆畸变的产生，大幅提升其键合力，实现高像素性能；同时，为实现更好的bsi光电二极管结构，藉由思特威开发优化的晶圆减薄技术，可在晶圆研磨减薄中最大程度减少硅的损耗，保障超高精度并将硅衬底厚度成功减薄，而且对于850nm与940nm的近红外增强也做了工艺优化，保障了晶圆强度并实现出色的感光性能；此外，该平台还采用了业内前沿工艺材料打造硅表面钝化技术，避免了晶片抛光后对光电二极管的损坏，进一步减少白点与暗电流的产生，提升cis的暗光成像表现。

封面图片来源：拍信网