黄仁勋才挺台积电将生产英伟达下代芯片，3纳米rtx5090规格曝光-yb体育app官网

就在英伟达创办人兼董执行帐黄仁勋表明，下一代芯片仍将由晶圆代工龙头台积电来代工生产，因为中国台湾生产仍具有优势之后，现在外界传出，英伟达的下一代旗舰级显卡──rtx5090将使用台积电的3纳米制程技术，预计将在2024年年底前推出。

根据外媒hardwaretimes的报导，英伟达在2022年推出的rtx40系列显卡，代号为ada lovelace，而下一代英伟达rtx显卡系列，其代号为blackwell，并表示这些gpu将在台积电的3纳米（n3）节点制程上生产，内含晶体管数量将超过150亿个，晶体管密度接近3亿/mm²，核心运算时脉将超过3ghz，汇流排密度则为512bits。

以目前市场上的消息来汇整，采用gb102架构的rtx5090将包含144组串流处理器（sm）单元，也就是假设每组sm还是128个计算统一设备架构（cuda），总计将有18432个cuda，相较rtx4090多出12.5%。加上96mb二级暂存，搭配gddr7显示内存，并将支持pcie5.0 x16接口。

而根据日前computex teipei2023上，板卡制造商所提供的下一代辉达rtx旗舰显卡的散热设计来看，该款显卡使用了动态双金属鳍片（dynamic bimetallic fin），6条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的散热铜片。因此，以显卡如此的散热条件来说，英伟达的rtx5090的原始功耗和发热效能应该将会给人留下深刻的印象。

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