来源:全球半导体观察整理
近日据外媒报道,英特尔公司在封装设计中开发了一种嵌入式电感的全集成稳压器(fully integrated voltage regulators,fivr),用于控制芯片在3d-tsv堆叠系统中的功率。
据悉,电压控制器对于3d封装至关重要,后者将基于工作负载的最优流程节点实现的chiplet封装在一起。这是一种灵活且经济高效的方法,可以创建多种配置,但需要更复杂的电源控制。
英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州的团队使用0.9nh-1.4nh 3d-tsv基于封装嵌入式电感器开发了一种fivr,其效率比低退出调节器(ldo)高37.6%,在10ma-1a负载范围内实现了平坦的效率,而无需相互通信。
消息显示,fivr在基于22nm工艺的裸片上实现,采用三种tsv友好型电感结构,具有多面积与效率的权衡选项。这些很容易并行地构建模块化设计,可以服务于广泛而不同的chiplet。
据悉,该设计将在最近的vlsi 2022研讨会上进行了讨论。
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